Dear All,<br>Hi and thank you for accepting me in the forum.<br>I made a Si/SiO2 supercell. <br>Since scf gave me this error: &quot;charge is wrong, smearing in needed&quot;, and I could not fix it by adding the number of the bands or number of electrons, I used cold smearing with degauss=0.018.<br>
I was wondering what the effect of this cold smearing is on the density of states. I mean, if by any chance, I could get the DOS without smearing, how would that be different from this one?<br>By the way, is there a way to get the DOS without smearing?<br>
Thank you very much for the software.<br>I appreciate your help.<br>Mashiat<br>