
<html>

<head>

<style><!--

.hmmessage P

{

margin:0px;

padding:0px

}

body.hmmessage

{

font-size: 10pt;

font-family:微软雅黑

}

--></style>

</head>

<body class='hmmessage'>

Dear All,<BR>

&nbsp;<BR>

I want to plot the DOS and PDOS for the semiconductors ( the CdS with point defect&nbsp;).<BR>

In the pw.x calculation, I set the occupation =&nbsp; 'fixed',<BR>

<SPAN lang=EN></SPAN>&nbsp;<BR>

<SPAN lang=EN>For the DOS and PDOS, there are several smearing schemes:</SPAN><BR>

<SPAN lang=EN>0&nbsp;Simple Gaussian</SPAN><BR>

<SPAN lang=EN>1 Methfessel-Paxton of order 1<BR>-1&nbsp; Marzari-Vanderbilt "cold smearing"<BR>-99&nbsp; Fermi-Dirac function</SPAN><BR>

<SPAN lang=EN><BR>Which one&nbsp;is the best &nbsp;for the semiconductor DOS and PDOS?</SPAN><BR>

<SPAN lang=EN></SPAN>&nbsp;<BR>

<SPAN lang=EN>Actually I intended to adopt the&nbsp; occupation= "tetrahedra" for the DOS calculation, </SPAN><BR>

<SPAN lang=EN>but " The tetrahedron method is presently not implemented" in PDOS calculation,&nbsp;</SPAN><BR>

<SPAN lang=EN>so it's hard to match the DOS and PDOS exactly&nbsp;&nbsp;if I choose the different&nbsp;&nbsp;smearing scheme for the PDOS.</SPAN><BR>

&nbsp;<BR>

Any advice&nbsp;will be&nbsp;appreciated<BR>

&nbsp;<BR>

Thank you.<BR>

&nbsp;<BR>

Rgds<BR>

&nbsp;<BR>

Jianchun Wu<BR>Department of physics<BR>Soochow university,China<BR>215006<BR>                                               </body>

</html>